← 返回列表
一种高纯碳化硅粉体的制备工艺
申请人信息
- 申请人:中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队
- 申请人地址:750021 宁夏回族自治区银川市西夏区怀远西路644号
- 发明人: 中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高纯碳化硅粉体的制备工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311436478.4 |
| 申请日 | 2023/11/1 |
| 公告号 | CN117383941A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | C04B35/565 |
| 权利人 | 中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队 |
| 发明人 | 梁利东; 白建光; 黄瑞; 欧毅; 刘雷; 宋海龙; 韩茂武; 肖立雁; 杨杰; 曹亮; 张庚; 徐海锋 |
| 地址 | 宁夏回族自治区银川市西夏区怀远西路644号 |
摘要文本
中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备工艺，包括以下步骤：(1)将高纯碳粉和高纯硅粉进行湿法混料，干燥后进行压制，形成坯体；(2)将两个坯体上下叠加放置于电磁感应炉的石墨坩埚中，真空下升温至1450℃并保温2小时，然后升温至1600℃并保温2小时，然后升温至2050～2250℃并保温2小时；降温至室温即得。本发明的制备工艺，两个坯体上下叠加，利用重烧结时坩埚内部温度梯度分布，底部碳化硅分解产生大量Si穿越上部叠加样品，减少上部样品残碳量，增加上部样品SiC生成量。利用本发明的工艺制得的高纯碳化硅粉体，纯度高于99.999％，完全满足碳化硅单晶生长要求和电子陶瓷原料使用级别要求。
专利主权项内容
1.一种高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)坯体制备：将高纯碳粉和高纯硅粉按摩尔比1 : 1.0～1.2的比例进行湿法混料，干燥后进行压制，形成坯体；(2)将两个坯体上下叠加放置于电磁感应炉的石墨坩埚中，真空下升温至1450℃并保温2小时，然后升温至1600℃并保温2小时，然后升温至2050～2250℃并保温2小时；降温至室温，即制得高纯碳化硅粉体。 马 克 数 据 网