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一种异质结电池硅片处理方法
申请人信息
- 申请人:安徽华晟新能源科技有限公司
- 申请人地址:242000 安徽省宣城市宣城经济技术开发区科技园
- 发明人: 安徽华晟新能源科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种异质结电池硅片处理方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311372253.7 |
| 申请日 | 2023/10/20 |
| 公告号 | CN117457791A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
| 发明人 | 张良; 孙鹏; 赵泽; 张景 |
| 地址 | 安徽省宣城市宣城经济技术开发区科技园 |
摘要文本
本发明涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结电池硅片处理方法，包括如下步骤：使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗，去除所述硅片表面的有机物杂质和粉尘颗粒；使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀，去除所述硅片表面的损伤层；使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质，以增加所述硅片表面亲水性；所述第三清洗液包括酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液；对所述硅片表面进行磷浆涂覆；对所述硅片进行链式吸杂处理。通过上述方法处理硅片表面，使硅片表面具有亲水性，便于磷浆涂覆时，在硅片表面铺展均匀，从而改善链式吸杂的效果。
专利主权项内容
1.一种异质结电池硅片处理方法，其特征在于，包括如下步骤：使用第一清洗液对所述硅片表面进行清洗，去除所述硅片表面的有机物杂质和粉尘颗粒；使用第二清洗液对所述硅片表面进行腐蚀，去除所述硅片表面的损伤层；使用第三清洗液去除所述硅片表面的金属杂质，以增加所述硅片表面亲水性；所述第三清洗液包括酸性试剂和氧化性试剂的混合溶液；对所述硅片表面进行磷浆涂覆；对所述硅片进行链式吸杂处理。