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一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用
申请人信息
- 申请人:齐鲁工业大学(山东省科学院)
- 申请人地址:250353 山东省济南市长清区大学路3501号
- 发明人: 齐鲁工业大学(山东省科学院)
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311530233.8 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117486608A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | C04B35/495 |
| 权利人 | 齐鲁工业大学(山东省科学院) |
| 发明人 | 张灵翠; 石锋; 安忠芬; 董鲁萍; 金敏; 黄炳雄 |
| 地址 | 山东省济南市西部新城大学科技园 |
摘要文本
本发明涉及一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用，薄膜材料的分子式为Bi1.5MgxZnyNb1.5O7，其中，x：y=(4～1)：(1～4)，本发明采用Pechini溶胶‑凝胶法合成一种新型铁电薄膜材料，得到的薄膜致密，孔隙率低，晶界清晰；本发明通过Zn2+的掺杂改性，改变原有离子的运动状态，极大的降低了介电损耗，并且Zn2+的掺杂量使得介电可调，具有良好的温度、化学稳定性，同时介电可调并且具有低的介电损耗、适中的介电常数，与传统的固相法相比，制备工艺简单，过程无污染，反应物在分子水平均匀混合，制备的薄膜纯度和均匀度都较高，能显著提升其介电性能，具有广泛的应用前景。
专利主权项内容
1.一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料，薄膜材料的分子式为BiMgZnNbO，其中，x：y=(4～1)：(1～4)，薄膜材料的取向为222，晶粒取向可控，具有立方焦绿石结构。1.5xy1.57