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半导体制造方法及半导体器件
申请人信息
- 申请人:物元半导体技术(青岛)有限公司
- 申请人地址:266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室
- 发明人: 物元半导体技术(青岛)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体制造方法及半导体器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311831195.X |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117476457A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 物元半导体技术(青岛)有限公司 |
| 发明人 | 张春凤; 吕昆谚; 黄任生; 颜天才; 杨列勇; 陈为玉; 张天仪 |
| 地址 | 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室 |
摘要文本
本申请涉及一种半导体制造方法及半导体器件，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一第一晶圆；在第一晶圆中形成晶体管；提供一第二晶圆，第二晶圆包括第一表面和第二表面；在第二晶圆的第一表面上形成硬掩模层；图形化硬掩模层；以图形化的硬掩模层作为遮挡刻蚀第二晶圆的至少一部分，形成由第一表面向下打开的第一孔洞；将第二晶圆的图形化的硬掩模层与第一晶圆的正面键合，键合后第一孔洞被第一晶圆所封闭；对第一晶圆的背面进行减薄；对第二晶圆的第二表面侧进行减薄且打开第一孔洞。该半导体制造方法可以在封装过程中将晶圆减薄至更薄的厚度同时不会出现碎裂等缺陷，且工艺精度更易控制。
专利主权项内容
1.一种半导体制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆包括正面和背面；在所述第一晶圆中形成晶体管，所述晶体管位于所述第一晶圆的正面或靠近所述第一晶圆的正面；提供一第二晶圆，所述第二晶圆包括第一表面以及位于所述第一表面背面的第二表面；在所述第二晶圆的所述第一表面上形成硬掩模层；图形化所述硬掩模层；以图形化的所述硬掩模层作为遮挡刻蚀所述第二晶圆的至少一部分，以形成由所述第一表面向下打开的第一孔洞；将所述第二晶圆的图形化的所述硬掩模层与所述第一晶圆的所述正面键合，键合后所述第一孔洞被所述第一晶圆所封闭；对所述第一晶圆的所述背面进行减薄；对所述第二晶圆的所述第二表面侧进行减薄且打开所述第一孔洞。