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一种碳化硅半导体衬底的抛光工艺
申请人信息
- 申请人:深圳中机新材料有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼C601
- 发明人: 深圳中机新材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅半导体衬底的抛光工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311416229.9 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117428672A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | B24B37/04 |
| 权利人 | 深圳中机新材料有限公司 |
| 发明人 | 陈斌 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼C601 |
摘要文本
深圳中机新材料有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种碳化硅半导体衬底的抛光工艺，该抛光工艺包括以下步骤：将碳化硅半导体衬底压在同方向旋转的聚氨酯抛光垫上，向抛光垫上加入抛光液，碳化硅半导体衬底被抛光垫抛光；其中抛光液为氧化硅抛光液，由以下重量份组分组成：氧化硅15‑20份；氧化剂1‑2份；改性分散剂2‑8份；防腐剂0.5‑1份；去离子水100份。本发明所提供的抛光工艺具有较高的切削率和去除率，抛光后的产品表面质量好，更能满足市场需求。
专利主权项内容
1.一种碳化硅半导体衬底的抛光工艺，其特征在于，所述抛光工艺包括以下步骤：将碳化硅半导体衬底压在同方向旋转的聚氨酯抛光垫上，向抛光垫上加入抛光液，碳化硅半导体衬底被抛光垫抛光；所述抛光液为氧化硅抛光液。。微信公众号马克数据网