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一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法

申请号: CN202311871852.3
申请人: 深圳市安信达存储技术有限公司
更新日期: 2026-03-09

摘要文本

深圳市安信达存储技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法,涉及数据闪存技术领域,对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取,并根据信息读取结果对闪存单元进行分级,获得对应的闪存阵列;将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内,并确定初始闪存阵列;根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果,建立闪存单元的闪存组合阵列链路,并通过所建立的闪存组合阵列链路,对所需要进行闪存的数据进行分布式存储;完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后,对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新,并将所有的闪存单元进行重新分级,获得新的闪存阵列,解决了闪存单元使用频率不均衡的问题,提高闪存阵列的使用寿命。

专利主权项内容

1.一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取,并根据信息读取结果对闪存单元进行分级,获得对应的闪存阵列;步骤S2:将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内,并确定初始闪存阵列;步骤S3:根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果,建立闪存单元的闪存组合阵列链路,并通过所建立的闪存组合阵列链路,对所需要进行闪存的数据进行分布式存储;步骤S4:完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后,对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新,并将所有的闪存单元进行重新分级,获得新的闪存阵列。

专利申请信息

项目 内容
专利名称 一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311871852.3
申请日 2023/12/29
公告号 CN117742614A
公开日 2024/3/22
IPC主分类号 G06F3/06
权利人 深圳市安信达存储技术有限公司
发明人 李修录; 朱小聪; 尹善腾
地址 广东省深圳市宝安区新桥街道黄埔社区洪田路155号创新智慧港1栋1005