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一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法
摘要文本
深圳市安信达存储技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法,涉及数据闪存技术领域,对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取,并根据信息读取结果对闪存单元进行分级,获得对应的闪存阵列;将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内,并确定初始闪存阵列;根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果,建立闪存单元的闪存组合阵列链路,并通过所建立的闪存组合阵列链路,对所需要进行闪存的数据进行分布式存储;完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后,对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新,并将所有的闪存单元进行重新分级,获得新的闪存阵列,解决了闪存单元使用频率不均衡的问题,提高闪存阵列的使用寿命。
专利主权项内容
1.一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:对芯片内部所存在的闪存单元进行信息读取,并根据信息读取结果对闪存单元进行分级,获得对应的闪存阵列;步骤S2:将所需要在芯片内进行闪存的数据导入至闪存入口内,并确定初始闪存阵列;步骤S3:根据在芯片内进行闪存的数据的数据量以及闪存单元的分级结果,建立闪存单元的闪存组合阵列链路,并通过所建立的闪存组合阵列链路,对所需要进行闪存的数据进行分布式存储;步骤S4:完成对所需要进行闪存的数据进行分布式存储后,对初始闪存阵列内的闪存单元进行信息更新,并将所有的闪存单元进行重新分级,获得新的闪存阵列。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种芯片内部闪存组合RIAD阵列方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311871852.3 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117742614A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | G06F3/06 |
| 权利人 | 深圳市安信达存储技术有限公司 |
| 发明人 | 李修录; 朱小聪; 尹善腾 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区新桥街道黄埔社区洪田路155号创新智慧港1栋1005 |