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一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构
申请人信息
- 申请人:深圳芯能半导体技术有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301
- 发明人: 深圳芯能半导体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311812906.9 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117747433A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 马献; 刘杰 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301 |
摘要文本
深圳芯能半导体技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构，属于半导体技术领域，该所述沟槽栅型功率器件包括：衬底层、沟槽、体区、源区、层间介质层、接触孔、离子注入区、金属。本发明通过在沟槽上形成栅极结构、通过刻蚀部分层间介质层、体区、源区，形成接触孔，进而在接触孔底部的体区中注入第二导电类型的离子，形成离子注入区。即考虑到层间介质层在拐弯区和非拐弯区由于产生厚度偏差导致的阈值电压的差异。通过控制接触孔到沟道的距离调整离子注入区到沟道的距离，实现阈值电压的调整，从而提高阈值电压的一致性。 专利查询网
专利主权项内容
1.一种沟槽栅型功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一导电类型的衬底层；在所述衬底层表面向内刻蚀形成沟槽；形成位于所述沟槽上的栅极结构；在所述衬底层的表面区域形成第二导电类型的体区；在所述体区上形成第一导电类型的源区；在所述栅极结构和所述源区上形成层间介质层；刻蚀部分所述层间介质层、体区、源区，形成接触孔；在所述接触孔底部的体区中注入第二导电类型的离子，形成离子注入区；在所述接触孔中淀积金属。