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一种绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子器件
申请人信息
- 申请人:深圳平湖实验室
- 申请人地址:518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋
- 发明人: 深圳平湖实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311719807.6 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117712155A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 深圳平湖实验室 |
| 发明人 | 支海朝; 万玉喜; 曾威; 胡浩林 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋 |
摘要文本
深圳平湖实验室取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种本发明实施例提供的一种绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子器件，衬底的制作材料包括P+型碳化硅，衬底之上设置有缓冲层，缓冲层的制作材料包括P型碳化硅，缓冲层之上设置有碳化硅层；碳化硅层中设置有栅极沟槽，栅极沟槽两侧分别设置有保护沟槽，每个保护沟槽与衬底之间均设置有第一P+掺杂层，且保护沟槽的底部与对应第一P+掺杂层接触。如此，保护沟槽和第一P+掺杂层能够降低栅极沟槽附近的电场强度，使得绝缘栅双极晶体管不容易因击穿而失效，提高了绝缘栅双极晶体管的可靠性。
专利主权项内容
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：衬底、以及依次层叠设于所述衬底之上的缓冲层和碳化硅层，所述衬底的制作材料包括P+型碳化硅，所述缓冲层的制作材料包括P型碳化硅，所述碳化硅层的制作材料包括N型碳化硅；所述碳化硅层中设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽具有侧壁，所述侧壁包括沟道区，所述侧壁相对于所述衬底表面具有倾斜角，所述倾斜角使得所述栅极沟槽呈现朝向所述衬底的一侧较窄而远离所述衬底的一侧较宽的形状；所述栅极沟槽两侧分别设置有保护沟槽，每个所述保护沟槽与所述衬底之间均设置有第一P+掺杂层，且所述保护沟槽的底部与对应所述第一P+掺杂层接触。