碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法
申请人信息
- 申请人:南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 申请人地址:211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室
- 发明人: 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311741411.1 |
| 申请日 | 2023/12/18 |
| 公告号 | CN117711946A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 发明人 | 张跃; 陈谷然; 陈宇; 李士颜; 柏松; 黄润华; 杨勇 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室; ; 江苏省南京市秦淮区瑞金路街道中山东路524号 |
摘要文本
南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其自对准制造方法。所述方法包括：于第一导电类型外延层表面形成第一掩膜层和阻挡层；于第一导电类型外延层中形成第二导电类型阱区；于阻挡层上、第一掩膜层两侧形成侧墙；于第二导电类型阱区中形成第一导电类型源区；去除侧墙后，于第一掩膜层两侧及之上形成加厚介质层；对加厚介质层刻蚀形成T型介质层，通过T型介质层形成第一导电类型注入区。本发明通过两次自对准工艺，实现了第二导电类型阱区与第一导电类型源区、第二导电类型阱区与第一导电类型注入区的自对准，既有效降低了器件的导通电阻，又减少了套刻偏差，规避了JFET区注入沟道的风险。。来源：百度马 克 数据网
专利主权项内容
1.一种碳化硅MOSFET器件的自对准制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.于第一导电类型衬底上形成第一导电类型外延层；S2.于第一导电类型外延层表面形成第一掩膜层和阻挡层；S3.于第一导电类型外延层中形成第二导电类型阱区；S4.于阻挡层上、第一掩膜层两侧形成侧墙；S5.于第二导电类型阱区中形成第一导电类型源区；通过侧墙实现第二导电类型阱区与第一导电类型源区的自对准；S6.去除侧墙后，于第一掩膜层两侧及之上形成加厚介质层；S7.对加厚介质层刻蚀形成T型介质层；S8.去除第一掩膜层，保留T型介质层；S9.通过T型介质层在第一导电类型外延层中形成第一导电类型第一注入区和位于第一导电类型第一注入区之间的第一导电类型第二注入区；通过T型介质层实现第二导电类型阱区与第一导电类型第一注入区的自对准，去除T型介质层；S10. 于器件表面形成栅介质层，于栅介质层之上形成栅极电极，于栅极电极两侧及之上形成隔离介质层；S11. 于第一导电类型源区和第二导电类型阱区表面形成源极欧姆接触，于第一导电类型衬底背面形成漏极欧姆接触，源极欧姆接触表面形成源极电极，于漏极欧姆接触表面形成漏极电极。