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零静态功耗熔丝修调系统
申请人信息
- 申请人:南京铭芯半导体科技有限公司
- 申请人地址:211122 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A1幢9楼
- 发明人: 南京铭芯半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 零静态功耗熔丝修调系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311757563.0 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117749157A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H03K19/00 |
| 权利人 | 南京铭芯半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 张靖; 李永凯; 杨平; 牛义; 李向全; 乔仕超; 武鹏; 沈堃; 徐敏 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A1幢9楼 |
摘要文本
零静态功耗熔丝修调系统，涉及电子技术，本发明包括一个共享参考模块和至少一个熔丝模块，共享参考模块包括第一共享开关，其一端通过共享电阻接高电平，另一端接第一共享参考点；第一共享参考点通过参考MOS管接地，还通过共享电容接地；第一共享参考点通过第二共享开关接公共点；熔丝模块中，第一修调开关的一端通过熔丝电阻接高电平，另一端接第一修调参考点；第一修调参考点通过第二修调MOS管接地，还通过修调电容接地；第一修调参考点通过第二修调开关接锁存器的输入端，锁存器的输出端通过第五修调开关接公共点；第一修调开关和熔丝电阻的连接点通过第一修调MOS管接地。整个电路系统无静态功耗，显著减小了芯片面积。
专利主权项内容
1.零静态功耗熔丝修调系统，其特征在于，包括一个共享参考模块和至少一个熔丝模块，所述共享参考模块包括第一共享开关(S1a)，其一端通过共享电阻(R1)接高电平，另一端接第一共享参考点(a1b)；第一共享参考点(a1b)通过参考MOS管(N1b)接地，还通过共享电容(C1)接地；第一共享参考点(a1b)通过第二共享开关(S1b)接公共点；所述熔丝模块包括第一修调MOS管和第一修调开关，第一修调开关的一端通过熔丝电阻接高电平，另一端接第一修调参考点；第一修调参考点通过第二修调MOS管接地，还通过修调电容接地；第一修调参考点通过第二修调开关接锁存器的输入端，锁存器的输出端通过第五修调开关接公共点；第一修调开关和熔丝电阻的连接点通过第一修调MOS管接地。