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一种高效N型背接触太阳能电池制备工艺
申请人信息
- 申请人:江苏凌众新能科技有限公司; 马鞍山凌众新能科技有限公司
- 申请人地址:211106 江苏省南京市江宁区秣陵街道胜利路91号昂鹰大厦8楼
- 发明人: 江苏凌众新能科技有限公司; 马鞍山凌众新能科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高效N型背接触太阳能电池制备工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311834474.1 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117712229A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 江苏凌众新能科技有限公司; 马鞍山凌众新能科技有限公司 |
| 发明人 | 王伟; 江俊杰; 杨伟锋; 吴仕梁 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁区秣陵街道胜利路91号昂鹰大厦8楼; |
摘要文本
本发明公开一种高效N型背接触电池的制备工艺，对N型硅片进行双面抛光处理；在高温炉管中进行硼扩散，形成p+层；对非硼扩散面进行单面制绒；对制绒面进行磷扩散；清洗去除硅片正背面PSG/BSG层；在高温炉中进行热氧化；正面进行氮化硅沉积，背面进行氧化铝膜沉积，叠加氮化硅；背面局部采用激光进行N区图形化，形成P/N叉指装交错图形，随后在碱液中将激光的N区刻蚀抛光；在背面通过气体种类和流量的控制依次进行氧化硅、掺杂多晶硅层的沉积；在碱液中刻蚀去掉正面绕度；对背面进行氮化硅层架；背面P区进行氮化硅/掺杂多晶硅层的开膜；将P区印刷银铝浆，N区印刷银浆。本发明实现了P区和N区的不同钝化膜结构，使得钝化效果最大化，提升电池效率。
专利主权项内容
1.一种高效N型背接触电池的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，对N型硅片，进行双面抛光处理；步骤2，在高温炉管中对N型硅片进行硼扩散，形成p层；+步骤3，对N型硅片的非硼扩散面进行单面制绒；步骤4，对N型硅片的制绒面进行磷扩散；步骤5，清洗去除N型硅片正背面PSG/BSG层；步骤6，将N型硅片在高温炉中进行热氧化；步骤7，对N型硅片的正面进行氮化硅沉积，背面进行氧化铝膜沉积，叠加氮化硅；步骤8，对N型硅片的背面局部采用激光进行N区图形化，形成P/N叉指装交错图形，随后在碱液中将激光的N区刻蚀抛光；步骤9，在N型硅片的背面通过气体种类和流量的控制依次进行氧化硅、掺杂多晶硅层的沉积；步骤10，在碱液中刻蚀去掉N型硅片正面绕度；步骤11，对N型硅片的背面进行氮化硅层架；步骤12，对N型硅片背面P区进行氮化硅/掺杂多晶硅层的开膜；步骤13，将N型硅片的P区印刷银铝浆，N区印刷银浆。