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一种粗化ITO膜层制备装置及制备方法
申请人信息
- 申请人:聚灿光电科技(宿迁)有限公司
- 申请人地址:223800 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧
- 发明人: 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种粗化ITO膜层制备装置及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311800167.1 |
| 申请日 | 2023/12/26 |
| 公告号 | CN117758208A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | C23C14/08 |
| 权利人 | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 |
| 发明人 | 程叶; 张中玉 |
| 地址 | 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧 |
摘要文本
本发明公开了一种粗化ITO膜层制备装置,包括腔体,腔体内部设有离子枪、坩埚、镀锅、加热组件和五组氩气供应组件,镀锅位于坩埚的上方,加热组件设于镀锅外周的腔体内壁上,离子枪位于坩埚及五组氩气供应组件的一侧,五组氩气分节供应组件均匀间隔分布于坩埚的外周,每组氩气供应组件包括氩气供气管、控制氩气供气管气体流量的气管开关、磁场线圈和控制线圈电流启闭的线圈开关,每个氩气供气管均与外界氩气源连接,且其出气口均朝向坩埚中心位置设置。采用本发明粗化ITO膜层制备方法,相较于常规方法更加方便快捷,制备的粗化ITO膜层稳定性好、厚度可控,减少了物料、设备等成本浪费。
专利主权项内容
1.一种粗化ITO膜层制备装置,其特征在于:包括腔体,所述腔体内部设有离子枪、坩埚、镀锅、加热组件和五组氩气供应组件,所述镀锅位于坩埚的上方,所述加热组件设于镀锅外周的腔体内壁上,所述离子枪位于坩埚及五组氩气供应组件的一侧,五组所述氩气分节供应组件均匀间隔分布于坩埚的外周,每组所述氩气供应组件包括氩气供气管、控制氩气供气管气体流量的气管开关、磁场线圈和控制线圈电流启闭的线圈开关,每个所述氩气供气管均与外界氩气源连接,且其出气口均朝向坩埚中心位置设置。 来自:马 克 团 队