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一种粗化ITO膜层制备装置及制备方法

申请号: CN202311800167.1
申请人: 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
更新日期: 2026-03-10

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种粗化ITO膜层制备装置及制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311800167.1
申请日 2023/12/26
公告号 CN117758208A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 C23C14/08
权利人 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
发明人 程叶; 张中玉
地址 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧

摘要文本

本发明公开了一种粗化ITO膜层制备装置,包括腔体,腔体内部设有离子枪、坩埚、镀锅、加热组件和五组氩气供应组件,镀锅位于坩埚的上方,加热组件设于镀锅外周的腔体内壁上,离子枪位于坩埚及五组氩气供应组件的一侧,五组氩气分节供应组件均匀间隔分布于坩埚的外周,每组氩气供应组件包括氩气供气管、控制氩气供气管气体流量的气管开关、磁场线圈和控制线圈电流启闭的线圈开关,每个氩气供气管均与外界氩气源连接,且其出气口均朝向坩埚中心位置设置。采用本发明粗化ITO膜层制备方法,相较于常规方法更加方便快捷,制备的粗化ITO膜层稳定性好、厚度可控,减少了物料、设备等成本浪费。

专利主权项内容

1.一种粗化ITO膜层制备装置,其特征在于:包括腔体,所述腔体内部设有离子枪、坩埚、镀锅、加热组件和五组氩气供应组件,所述镀锅位于坩埚的上方,所述加热组件设于镀锅外周的腔体内壁上,所述离子枪位于坩埚及五组氩气供应组件的一侧,五组所述氩气分节供应组件均匀间隔分布于坩埚的外周,每组所述氩气供应组件包括氩气供气管、控制氩气供气管气体流量的气管开关、磁场线圈和控制线圈电流启闭的线圈开关,每个所述氩气供气管均与外界氩气源连接,且其出气口均朝向坩埚中心位置设置。 来自:马 克 团 队