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一种侧墙制造方法、装置、芯片及电子设备
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种侧墙制造方法、装置、芯片及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410107786.0 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117637448A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L21/033 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 姚业旺; 彭雄; 田野; 陈鹤丹 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
本发明提供了一种侧墙制造方法、装置、芯片及电子设备，包括：在钝化保护层的光罩的不透光的第一层材料和透光的第二层材料中间，加入至少一层透光率低于所述第二层材料的中间材料；根据芯片功能需求，调节所述第一层材料的第一长度和所述中间材料的第二长度，组合得到多种光罩子结构，将所述多种光罩子结构进行排列，得到目标光罩结构；使用所述目标光罩结构光刻制作半导体芯片的钝化层，对所述半导体芯片分别进行刻蚀和去胶，得到多种芯片钝化层侧墙形貌；采用本发明能够简化芯片钝化层侧墙制作工艺，减少侧墙形貌制作的成本，提高芯片生产效率。
专利主权项内容
1.一种侧墙制造方法，其特征在于，包括：在钝化保护层的光罩的不透光的第一层材料和透光的第二层材料中间，加入至少一层透光率低于所述第二层材料的中间材料；根据芯片功能需求，调节所述第一层材料的第一长度和所述中间材料的第二长度，组合得到多种光罩子结构，将所述多种光罩子结构进行排列，得到目标光罩结构；使用所述目标光罩结构光刻制作半导体芯片的钝化层，对所述半导体芯片分别进行刻蚀和去胶，得到多种芯片钝化层侧墙形貌。