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预防集成电路的非均匀老化的控制方法及装置和处理芯片
申请人信息
- 申请人:深圳中安辰鸿技术有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼3003
- 发明人: 深圳中安辰鸿技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 预防集成电路的非均匀老化的控制方法及装置和处理芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410022247.7 |
| 申请日 | 2024/1/8 |
| 公告号 | CN117521588A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | G06F30/392 |
| 权利人 | 深圳中安辰鸿技术有限公司 |
| 发明人 | 刘聂; 王涛; 湛灿辉 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼3003 |
摘要文本
本发明提供了一种预防集成电路的非均匀老化的控制方法及装置和处理芯片，在集成电路处于DC工作状态的情况下，对集成电路处于DC工作状态的持续时间进行检测，直至持续时间达到第一设定时间时控制集成电路的内建自测试系统工作，进而能够通过内建自测试系统工作时的信号翻转，控制集成电路在DC工作状态下一直保持状态不变，而受到BTI老化影响的器件产生状态翻转而借助BTI Recovery效应恢复一定的老化量，同时未受BTI老化影响的器件发生BTI老化，通过控制DC工作状态下持续受到BTI影响的器件进行老化恢复，同时控制DC工作状态下未受到BTI影响的器件受BTI老化影响，达到改善集成电路的非均匀老化问题的目的。
专利主权项内容
1.一种预防集成电路的非均匀老化的控制方法，其特征在于，控制方法包括：确定所述集成电路进入DC工作状态；监测所述集成电路处于DC工作状态的持续时间；待所述持续时间达到第一设定时间时，控制所述集成电路的内建自测试系统工作，其中，所述内建自测试系统包括逻辑内建自测试系统和存储器内建自测试系统中至少一种。。（来 自 马 克 数 据 网）