一种带隙基准电路以及电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳市山海半导体科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南四道18号创维半导体设计大厦东座1105
- 发明人: 深圳市山海半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种带隙基准电路以及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410018821.1 |
| 申请日 | 2024/1/5 |
| 公告号 | CN117519403A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | G05F1/567 |
| 权利人 | 深圳市山海半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 汤衡 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南四道18号创维半导体设计大厦东座1105 |
摘要文本
本申请涉及一种带隙基准电路以及电子设备。该带隙基准电路包括：电流生成模块，被配置为生成正温度系数电流和负温度系数电流，正温度系数电流和负温度系数电流用于补偿带隙基准电路中晶体管电压随温度变化对应的线性项电流；以及温度补偿模块，包括第一支路和第二支路，温度补偿模块被配置为基于流经第一支路的电流和流经第二支路的电流确定高阶温度补偿电流，高阶温度补偿电流用于补偿晶体管电压随温度变化对应的非线性项电流。本申请公开的带隙基准电路能够自适应的补偿晶体管电压随温度变化对应的非线性项电流，从而获得较低的温度系数。不仅使得带隙基准电路设计简单，成本低，易于集成，而且带隙基准电路输出的参考电压更加稳定，精度更高。
专利主权项内容
1.一种带隙基准电路，包括：电流生成模块，被配置为生成正温度系数电流和负温度系数电流，所述正温度系数电流和所述负温度系数电流用于补偿所述带隙基准电路中晶体管电压随温度变化对应的线性项电流；以及温度补偿模块，包括：第一支路，所述第一支路至少包括第一晶体管(301)、第三晶体管(303)，所述第一晶体管(301)、所述第三晶体管(303)串联电连接；第二支路，所述第二支路至少包括第二晶体管(302)、第四晶体管(304)、第五晶体管(305)；所述第一晶体管(301)的控制极分别与所述第二晶体管(302)的控制极、所述第一晶体管(301)的第二极电连接，所述第一晶体管(301)的第一极与所述第三晶体管(303)的第二极电连接；所述第三晶体管(303)的控制极分别与所述第四晶体管(304)的控制极、所述第三晶体管(303)的第二极电连接，所述第三晶体管(303)的第一极接地；所述第二晶体管(302)的第一极与所述第四晶体管(304)的第二极电连接，所述第四晶体管(304)的第一极接地；所述第二晶体管(302)的第一极还与所述第五晶体管(305)的控制极电连接，所述第五晶体管(305)的第一极接地；所述第一支路被配置为接收所述正温度系数电流，并基于所述正温度系数电流确定流经所述第一支路的电流；所述第二支路被配置为接收所述负温度系数电流，并至少基于所述正温度系数电流、所述负温度系数电流确定流经所述第二支路的电流；所述温度补偿模块被配置为基于流经所述第一支路的电流和流经所述第二支路的电流确定高阶温度补偿电流，所述高阶温度补偿电流用于补偿所述晶体管电压随温度变化对应的非线性项电流。