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双栅HEMT器件
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 双栅HEMT器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410201978.8 |
| 申请日 | 2024/2/23 |
| 公告号 | CN117810253A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/423 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 古佳茜 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
一种双栅HEMT器件，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和第一势垒层；依次间隔设置在所述第一势垒层上的源极结构、第一栅极结构、第二栅极结构和漏极结构；所述第一栅极结构与所述源极结构电连接。通过在第二栅极结构与源极结构之间设置一个与源极结构电连接的第一栅极结构，可以在双栅HEMT器件处于关断状态的时候，在第一栅极结构的下方的沟道层中会积累电子，一旦双栅HEMT器件导通，在第一栅极结构下方的沟道层中积累的电子将迅速移动到第二栅极结构下方的沟道层中的耗尽区，缓解电流坍塌。
专利主权项内容
1.一种双栅HEMT器件，其特征在于，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和第一势垒层；依次间隔设置在所述第一势垒层上的源极结构、第一栅极结构、第二栅极结构和漏极结构；所述第一栅极结构与所述源极结构电连接。