一种偏置电压增强电路及射频功率放大器
申请人信息
- 申请人:深圳飞骧科技股份有限公司
- 申请人地址:518052 广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区南光路286号水木一方大厦1栋1601
- 发明人: 深圳飞骧科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种偏置电压增强电路及射频功率放大器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410164073.8 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117724569A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | G05F1/56 |
| 权利人 | 深圳飞骧科技股份有限公司 |
| 发明人 | 尚鹏飞; 周永峰; 郭嘉帅 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区南光路286号水木一方大厦1栋1601 |
摘要文本
本发明适用于无线通讯技术领域，尤其涉及一种偏置电压增强电路及射频功率放大器。所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端；所述过充产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻以及第一电容。与现有技术相比，通过本发明提出的偏置电压增强电路，在偏置电压建立瞬间，产生可控的电压过充，在偏置电压建立瞬间这一阶段，提升射频功率放大器的偏置电压，进一步提升其开启阶段线性度，有效提高射频功率放大器的性能。
专利主权项内容
1.一种偏置电压增强电路，其特征在于，所述偏置电压增强电路包括依次电连接的信号输入端、电流源产生电路、过充产生电路、线性稳压器电路以及信号输出端；所述信号输入端用于输入电压; 所述电流源产生电路用于产生电流；所述过充产生电路用于产生过充电压；所述线性稳压器电路用于输出稳压信号；所述信号输出端用于输出基准电压；其中，所述过充产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻以及第一电容；所述第一电容的第一端分别与所述第一NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的漏极以及所述第四PMOS管的栅极连接，所述第一电容的第二端分别与所述第一NMOS管的源极以及所述第二NMOS管的源极连接并接地，所述第一NMOS管的栅极连接于外部逻辑控制电路；所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第一输出端，连接至所述线性稳压器电路的第一输入端；所述第三NMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第二输出端，连接至所述线性稳压器电路的第二输入端，所述第三NMOS管的漏极分别与所述第一电阻的第一端以及所述第二NMOS管的栅极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第四PMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的栅极连接；所述第四PMOS管的源极与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与第三PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的栅极连接于外部逻辑控制电路，所述第三PMOS管的源极和第二PMOS管的源极分别连接于电源电压；所述第二PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第一输入端，连接至所述电流源产生电路的第一输出端；所述第二PMOS管的栅极作为所述过充产生电路的第二输入端，连接至所述电流源产生电路的第二输出端。