← 返回列表
SGT器件及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳市威兆半导体股份有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
- 发明人: 深圳市威兆半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | SGT器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410186179.8 |
| 申请日 | 2024/2/20 |
| 公告号 | CN117747672A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 杨天翠; 李伟聪; 姜春亮 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 |
摘要文本
本申请涉及半导体技术领域，公开了一种SGT器件及其制备方法，SGT器件包括：半导体衬底，半导体衬底上开设有单栅沟槽和双栅沟槽，双栅沟槽间隔排列于单栅沟槽的两侧；栅极组，栅极组包括设于单栅沟槽内的单栅极结构，以及设于双栅沟槽内的双栅极结构；接触孔结构，接触孔结构开设在半导体衬底上，且对称连接在单栅极结构的侧边，接触孔结构沉积有金属引出层；阱/体区，阱/体区设于半导体衬底上，且位于双栅极结构的两侧，位于双栅极结构一侧的阱/体区延展至接触孔结构；源极区，源极区设于半导体衬底上，且对应排布在阱/体区的上表面。本申请提高器件元胞密度，实现降低器件Rsp目的。 来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种SGT器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上开设有单栅沟槽和双栅沟槽，所述双栅沟槽间隔排列于所述单栅沟槽的两侧；栅极组，所述栅极组包括设于所述单栅沟槽内的单栅极结构，以及设于所述双栅沟槽内的双栅极结构；接触孔结构，所述接触孔结构开设在所述半导体衬底上，且对称连接在所述单栅极结构的侧边，所述接触孔结构沉积有金属引出层；阱/体区，所述阱/体区设于所述半导体衬底上，且位于所述双栅极结构的两侧，位于所述双栅极结构一侧的所述阱/体区延展至所述接触孔结构；源极区，所述源极区设于所述半导体衬底上，且对应排布在所述阱/体区的上表面。 （来源 马克数据网）