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氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410149194.5 |
| 申请日 | 2024/2/2 |
| 公告号 | CN117690962A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 李孟泽; 黄伟宗 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
一种氮化镓功率器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一盖层、多个第一金属层、第一绝缘层、第二金属层以及第三金属层；缓冲层位于衬底的上表面。沟道层位于缓冲层的上表面；势垒层位于沟道层的上表面；第一盖层位于势垒层的上表面且部分覆盖势垒层；多个第一金属层位于势垒层的上表面且位于第一盖层第一侧间隔设置；第一绝缘层位于多个第一金属层的上表面和势垒层上表面且位于第一盖层第一侧；第二金属层位于势垒层的上表面且位于第一盖层第二侧；第三金属层设置于第一盖层的上表面和第一绝缘层的上表面；实现了对漏源电流进行调制。。（来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种氮化镓功率器件的结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的上表面的缓冲层；位于所述缓冲层的上表面的沟道层；位于所述沟道层的上表面的势垒层；位于所述势垒层的上表面且部分覆盖所述势垒层的第一盖层；位于所述势垒层的上表面且位于所述第一盖层第一侧间隔设置的多个第一金属层；位于多个所述第一金属层的上表面和所述势垒层上表面且位于所述第一盖层第一侧的第一绝缘层；位于所述势垒层的上表面且位于所述第一盖层第二侧的第二金属层；设置于所述第一盖层的上表面和所述第一绝缘层的上表面的第三金属层。