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一种钠铁双位掺杂的聚阴离子正极材料及其制备方法

申请号: CN202410038748.4
申请人: 深圳华钠新材有限责任公司
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种钠铁双位掺杂的聚阴离子正极材料及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410038748.4
申请日 2024/1/11
公告号 CN117558905A
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 H01M4/36
权利人 深圳华钠新材有限责任公司
发明人 江文锋; 蔡伟华; 赵建明; 郭启涛
地址 广东省深圳市坪山区碧岭街道沙湖社区锦龙大道2-10号5栋慧谷101

摘要文本

本发明涉及一种钠铁双位掺杂的聚阴离子正极材料及其制备方法。本发明通过对聚阴离子材料中Na位和Fe位进行双掺杂,并严格控制掺杂量,可以协同作用以全面提高材料的电化学性能。本发明进一步在材料颗粒表面予以还原氧化石墨烯涂层包覆,能够构建3D导电网络,在提高电导率的同时可以有效抑制材料与电解质的副反应,进一步提升材料的稳定性。本发明所制备得到的钠铁双位掺杂的聚阴离子正极材料电化学性能优异、稳定性良好,0.1C下表现出高达112.65mAh/g的首圈放电比容量,1C下循环500圈后的容量保持率可达91.86%,且制备方法简单,成本低廉,适合于工业大规模化应用。

专利主权项内容

1.一种钠铁双位掺杂的聚阴离子正极材料,其特征在于,其化学式为NaAFeM(PO)PO,其中A选自第一主族元素中的一种或多种,M选自过渡金属元素中的一种或多种,0.001≤x≤1.0,0.01≤y≤1.5。4-xx3-yy4227