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镀膜防硫化处理方法、镀膜防硫化设备及存储介质
申请人信息
- 申请人:深圳市中顺半导体照明有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市坪山区龙田街道老坑社区锦绣中路19号美讯科技园数码科技厂区1号厂房A201、C201
- 发明人: 深圳市中顺半导体照明有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 镀膜防硫化处理方法、镀膜防硫化设备及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410068268.2 |
| 申请日 | 2024/1/17 |
| 公告号 | CN117594716A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L33/00 |
| 权利人 | 深圳市中顺半导体照明有限公司 |
| 发明人 | 刘文军; 谭亮; 邓文峰; 曾奎; 邹大波 |
| 地址 | 广东省深圳市坪山区龙田街道老坑社区锦绣中路19号美讯科技园数码科技厂区1号厂房A201、C201 |
摘要文本
本发明实施例提供了镀膜防硫化处理方法、镀膜防硫化设备及存储介质，镀膜防硫化处理方法包括：对基板上的每个封边单元中滴入第一容积的丙烯酸酯类单体，以进行第一防硫化处理；对基板上的每个封边单元中滴入第二容积的荧光胶层得到封闭LED芯片后的基板，通过荧光胶层对LED芯片和反射层进行保护；对导电层的第二面进行遮蔽处理得到遮蔽处理后的基板；对遮蔽处理后的基板的每个LED灯珠外部进行第二防硫化处理。在本实施例技术方案中，通过对LED灯进行内外的两次防硫化处理，能够有效阻隔在LED生产过程中所产生的硫对反光层腐蚀导致LED灯发黑的问题，能够有效提高LED灯的防硫化效果，保证LED灯的通光率。
专利主权项内容
1.一种镀膜防硫化处理方法，其特征在于，应用于防硫化设备，所述防硫化设备用于对加工过程中的基板进行防硫化处理，所述基板包括导电层、设置在所述导电层的第一面上的反射层、设置所述反射层上的LED芯片和在所述反射层上且围绕所述LED芯片设置的封边单元，所述方法包括：对所述加工过程中的基板上的每个LED灯珠的封边单元中滴入第一容积的丙烯酸酯类单体，以对每个所述LED灯珠的内部进行第一防硫化处理，得到第一防硫化处理后的基板；对所述第一防硫化处理后的基板上的每个所述LED灯珠的封边单元中滴入第二容积的荧光胶层，得到封闭LED芯片后的基板，所述第二容积根据所述封边单元中内腔的体积确定，所述第二容积大于所述第一容积；对所述导电层的第二面进行遮蔽处理，得到遮蔽处理后的基板；对所述遮蔽处理后的基板的每个所述LED灯珠的外部进行第二防硫化处理，得到第二防硫化处理后的基板。