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一种QFN封装结构及其制作方法、QFN器件

申请号: CN202410101020.1
申请人: 荣耀终端有限公司
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种QFN封装结构及其制作方法、QFN器件
专利类型 发明申请
申请号 CN202410101020.1
申请日 2024/1/25
公告号 CN117637660A
公开日 2024/3/1
IPC主分类号 H01L23/488
权利人 荣耀终端有限公司
发明人 史攀; 董行行
地址 广东省深圳市福田区香蜜湖街道东海社区红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401

摘要文本

本申请公开了一种QFN封装结构及其制作方法、QFN器件,应用于器件封装技术领域。QFN封装结构包括封装外壳、引脚焊盘和预置焊锡层。封装外壳包括第一表面,多个引脚焊盘间隔分布于第一表面;多个预置焊锡层分别毗邻于每个引脚焊盘的相对两侧;多个引脚焊盘,以及,位于每个引脚焊盘两侧的预置焊锡层分别嵌入封装外壳内。将预置焊锡层预先嵌入封装外壳内,在后续焊接时,焊锡能够与预置焊锡层结合,并利用结合后的焊锡包覆每个引脚焊盘,以消除后续焊接过程中产生的局部焊锡导致的窄脖结构。这样,可以有效提升焊点的可靠性,从而降低焊点的可靠性失效而开裂风险,进而保证QFN封装器件与PCB板的可靠性。

专利主权项内容

1.一种QFN封装结构,其特征在于,包括:封装外壳(101),包括第一表面(101a);引脚焊盘(102),多个所述引脚焊盘(102)间隔分布于所述封装外壳(101)的所述第一表面(101a);预置焊锡层(103),多个所述预置焊锡层(103)分别毗邻于每个所述引脚焊盘(102)的相对两侧;多个所述引脚焊盘(102),以及,位于每个所述引脚焊盘(102)两侧的所述预置焊锡层(103)分别嵌入所述封装外壳(101)内。