一种具有过压保护功能的低压沟槽MOSFET及其制作方法

专利主权项内容

1.一种具有过压保护功能的低压沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底，并在所述衬底上制作外延层；在所述外延层上刻蚀形成沟槽；在所述沟槽及外延层的上侧生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的上侧沉积第一导电类型的多晶硅，所述多晶硅经刻蚀形成设置在有源区内的沟槽内的栅区多晶硅、设置在外延层上侧的Gate Bus及二极管多晶硅、设置在最外侧的沟槽内的截止区多晶硅，所述二极管多晶硅的外端与截止区多晶硅连接；对所述二极管多晶硅的内端注入第二导电类型的元素；对有源区和最外侧的沟槽外侧的外延层内注入第二导电类型的元素，并通过推阱操作形成第一掺杂区，同时使所述二极管多晶硅形成二极管结构，在所述第一掺杂区内注入第一导电类型的元素，并通过推阱操作形成第二掺杂区；沉积介质层，并在所述介质层上刻蚀形成连接孔；在所述介质层的上侧及连接孔内沉积金属层，所述金属层经刻蚀形成源极金属、栅极金属、电压检测端金属和截止环金属，所述电压检测端金属与二极管结构的内端连接，所述截止环金属与截止区多晶硅连接。