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一种中压化成箔化成方法
申请人信息
- 申请人:南通南辉电子材料股份有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市经济技术开发区瑞兴路350号
- 发明人: 南通南辉电子材料股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种中压化成箔化成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410095280.2 |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117612867A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01G9/048 |
| 权利人 | 南通南辉电子材料股份有限公司 |
| 发明人 | 李晓天; 陈小兵 |
| 地址 | 江苏省南通市经济技术开发区瑞兴路350号 |
摘要文本
本发明涉及电极箔制备的技术领域，提供了一种中压化成箔化成方法，首先将腐蚀箔片置于热水中进行水合处理，再由扩孔剂对腐蚀箔片表面的多孔氧化膜进行扩孔，然后进行多级中压加电化成，再将其浸入铝基金属有机骨架的反应基体溶液中进行表面改性，使得金属有机骨架原位生长于中压化成箔前驱体表面的结晶型氧化膜上，接下来将其浸润于有机硅表面活性剂中，进行封孔和表面优化，最后再进行热处理和修补化成，最终制得中压化成箔。本发明提高了中压化成箔的静电容量和耐水合性，实现了二者的统一，且成本节约、环境友好。
专利主权项内容
1.一种中压化成箔化成方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：将腐蚀箔片置于96℃以上的纯水中进行水合处理5-8min，使得腐蚀箔片的表面形成多孔氧化膜；步骤S2：将步骤S1水合处理后的腐蚀箔片浸渍于扩孔剂中，扩孔处理后焙烧，制得含有大孔径氧化膜的腐蚀箔片；步骤S3：将步骤S2所得大孔径氧化膜的腐蚀箔片进行至少三级中压加电化成，使得腐蚀箔片表面的多孔氧化膜致密化，形成致密的结晶型氧化膜，制得中压化成箔前驱体；步骤S4：将步骤S3所得中压化成箔前驱体浸入铝基金属有机骨架的反应基体溶液中，搅拌均匀后得到反应混合溶液，升高反应混合溶液的温度至80-110℃反应20-50min，使得金属有机骨架原位生长于中压化成箔前驱体表面的结晶型氧化膜上，制得金属有机骨架改性的中压化成箔；步骤S5：将步骤S4所得金属有机骨架改性的中压化成箔浸润于有机硅表面活性剂中10-20min，制得浸润后的中压化成箔；步骤S6：将步骤S5所得浸润后的中压化成箔置于450-550℃下热处理2-3min，制得中压化成箔半成品；步骤S7：将步骤S6所得中压化成箔半成品置于修补化成液中进行修补化成，最终制得中压化成箔。