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半导体器件及其形成方法
申请人信息
- 申请人:常州承芯半导体有限公司
- 申请人地址:213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号
- 发明人: 常州承芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410076500.7 |
| 申请日 | 2024/1/18 |
| 公告号 | CN117594442A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 常州承芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 邹道华; 刘宇浩; 刘昱玮; 陈俊奇 |
| 地址 | 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号 |
摘要文本
一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供第一基底，包括若干有源区；提供第二基底，具有相对的第一面与第二面；在第一面上形成晶体管，晶体管包括：位于第一面上的集电层、位于集电层上的基层以及位于基层上的发射层，集电层、基层以及发射层的材料与第一基底的材料不同；去除第二基底；将晶体管与第一基底进行第一接合处理，第一接合处理后的晶体管位于有源区。一方面，在第二基底上形成晶体管再将晶体管转至第一基底，避免了第一基底与第二基底的尺寸不匹配，导致转移后的晶体管外延层的边缘超出第一基底，而无法对外延层进行刻蚀的问题；另一方面，选择导热系数大的材料作为第一基底的材料，提升半导体器件的散热性能。
专利主权项内容
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底包括若干有源区；提供第二基底，所述第二基底具有相对的第一面与第二面；在所述第二基底的所述第一面上形成晶体管，所述晶体管包括：位于所述第一面上的集电层、位于集电层上的基层以及位于基层上的发射层，所述集电层、基层以及发射层的材料与所述第一基底的材料不同；去除所述第二基底；在去除所述第二基底之后，将所述晶体管与所述第一基底进行第一接合处理，所述第一接合处理后的晶体管位于所述有源区。