半导体封装结构及其制造方法
申请人信息
- 申请人:江苏中科智芯集成科技有限公司
- 申请人地址:221001 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号凤凰湾电子信息产业园101-106厂房
- 发明人: 江苏中科智芯集成科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体封装结构及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410015791.9 |
| 申请日 | 2024/1/5 |
| 公告号 | CN117542817B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L23/485 |
| 权利人 | 江苏中科智芯集成科技有限公司 |
| 发明人 | 史玉芬; 位亮亮; 黄涛; 姚大平 |
| 地址 | 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号凤凰湾电子信息产业园101-106厂房 |
摘要文本
本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种半导体封装结构及其制造方法。公开的半导体封装结构，包括封装结构主体、补充金属互连层和镍钯金镀层；封装结构主体具有连通的第二开口和第三开口，第二开口的口径大于第三开口的口径，第二绝缘介质层设置于第一绝缘介质层远离芯片的一侧，主体金属互连的一部分填充于第二开口内；补充金属互连层和镍钯金镀层相互连接且位于第三开口内。公开的制造方法，包括：在第三开口内形成初级金属层；对初级金属层进行微蚀得到补充金属互连层；在补充金属互连层上进行获得镍钯金镀层的操作。本发明提供的结构和制造方法，能有效解决第二绝缘介质层和金属互连层脱离的问题，其具有较佳的可靠性。。马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，所述半导体封装结构包括封装结构主体、补充金属互连层和镍钯金镀层；所述封装结构主体包括芯片、第一绝缘介质层、主体金属互连层以及第二绝缘介质层；所述芯片的一面设置有Pad开口，所述Pad开口内设置Pad；所述第一绝缘介质层设置于所述芯片开设有所述Pad开口的一面，所述第一绝缘介质层具有第一开口，所述第一开口的位置与所述Pad开口的位置对应；所述主体金属互连层具有相连的第一互连部和第二互连部，所述第二互连部设置于所述第一绝缘介质层远离所述芯片的一侧，所述第一互连部穿过所述第一开口与所述Pad相连；所述第二绝缘介质层的中部具有连通的第二开口和第三开口，所述第二开口的口径大于所述第三开口的口径，所述第二绝缘介质层设置于所述第一绝缘介质层远离所述芯片的一侧，所述第二互连部位于所述第二开口内；所述补充金属互连层和所述镍钯金镀层相互连接且位于所述第三开口内，所述补充金属互连层与所述第二互连部相连；所述半导体封装结构的制造方法包括：获得所述封装结构主体，在所述第三开口内形成初级金属层；对所述初级金属层进行微蚀得到所述补充金属互连层；在所述补充金属互连层上进行获得所述镍钯金镀层的操作。