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一种可重构变容二极管芯片及制备方法
申请人信息
- 申请人:扬州国宇电子有限公司
- 申请人地址:225000 江苏省扬州市吴州东路188号
- 发明人: 扬州国宇电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种可重构变容二极管芯片及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410093683.3 |
| 申请日 | 2024/1/23 |
| 公告号 | CN117766592A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/93 |
| 权利人 | 扬州国宇电子有限公司 |
| 发明人 | 马文力; 李浩 |
| 地址 | 江苏省扬州市吴州东路188号 |
摘要文本
。本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种可重构变容二极管芯片及制备方法。该芯片包括：N型重掺杂衬底；深埋隔离层，设置于N型重掺杂衬底的部分区域的上方；N型轻掺杂外延层，设置于N型重掺杂衬底的剩余区域和深埋隔离层的上方；N型掺杂外延层；多个P型重掺杂区，分为至少一个主区和至少一个次区，次区位于深埋隔离层的上方；钝化层；多个阴极，一一对应连接于P型重掺杂区；多个可编程电极，一一对应连接于次区；多个电可重构层，分别设置于次区与阴极、可编程电极之间。该可重构变容二极管芯片可切换电可重构层的导通/绝缘状态，使得不同数量的P型重掺杂区与阴极处于互联导通状态，改变芯片的变容比。
专利主权项内容
1.一种可重构变容二极管芯片，其特征在于，包括：阳极；N型重掺杂衬底，设置于所述阳极上方；深埋隔离层，设置于所述N型重掺杂衬底的部分区域的上方；N型轻掺杂外延层，设置于所述N型重掺杂衬底的剩余区域和所述深埋隔离层的上方；N型掺杂外延层，设置于所述N型轻掺杂外延层的上方；多个P型重掺杂区，间隔设置于所述N型掺杂外延层的上部，多个所述P型重掺杂区分为至少一个主区和至少一个次区，所述主区不位于所述深埋隔离层的上方，所述次区位于所述深埋隔离层的上方；钝化层，设置于所述N型掺杂外延层和所述P型重掺杂区的部分区域的上方；多个阴极，一一对应连接于所述P型重掺杂区；多个可编程电极，一一对应连接于所述次区；多个电可重构层，分别设置于所述次区与所述阴极、可编程电极之间。