基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路
申请人信息
- 申请人:江苏润石科技有限公司
- 申请人地址:214000 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座1901-1910、2001-2010室
- 发明人: 江苏润石科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410160489.2 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117713788A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H03K17/687 |
| 权利人 | 江苏润石科技有限公司 |
| 发明人 | 王赛; 马学龙 |
| 地址 | 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座1901-1910、2001-2010室 |
摘要文本
本申请实施例提供了一种基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路，高压开关电路包括薄栅氧化层高压NMOS管和薄栅氧化层高压PMOS管，所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路；所述第一控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压NMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压NMOS管安全开启，所述第二控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压PMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压PMOS管安全开启，通过设置第一控制电路和第二控制电路安全开启所述高压开关电路中的NMOS管和PMOS管，有效解决了现有技术中薄栅氧高压器件容易因器件耐压性不好，进而作为高压开关使用时容易被击穿的问题。
专利主权项内容
1.一种基于薄栅氧化层工艺的高压开关的控制电路，其特征在于，高压开关电路包括薄栅氧化层高压NMOS管和薄栅氧化层高压PMOS管，所述控制电路包括第一控制电路和第二控制电路；所述第一控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压NMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压NMOS管安全开启，所述第二控制电路通过控制所述薄栅氧化层高压PMOS管的栅极电压和源极电压的压差以使所述薄栅氧化层高压PMOS管安全开启；所述高压开关电路包括第一薄栅氧化层高压PMOS管(HVPM1)、第二薄栅氧化层高压PMOS管(HVPM2)、第一薄栅氧化层高压NMOS管(HVNM1)、第二薄栅氧化层高压NMOS管(HVNM2)、第一齐纳二极管(ZD1)和第二齐纳二极管(ZD2)，所述第一薄栅氧化层高压PMOS管(HVPM1)的栅极连接第二栅极电压(VPG)，漏极连接输入电压(VIN)，源极连接第二源极电压(VPS)、所述第二齐纳二极管(ZD2)的负极和所述第二薄栅氧化层高压PMOS管(HVPM2)的源极，所述第二薄栅氧化层高压PMOS管(HVPM2)的栅极连接所述第二栅极电压(VPG)和所述第二齐纳二极管(ZD2)的正极，漏极连接输出电压(VOUT)，所述第一薄栅氧化层高压NMOS管(HVNM1)的栅极连接第一栅极电压(VNG)，漏极连接输入电压(VIN)，源极连接第一源极电压(VNS)、所述第二薄栅氧化层高压NMOS管(HVNM2)的源极和所述第一齐纳二极管(ZD1)的正极，所述第二薄栅氧化层高压NMOS管(HVNM2)的栅极连接所述第一栅极电压(VNG)和所述第一齐纳二极管(ZD1)的负极，漏极连接输出电压(VOUT)；所述第一齐纳二极管(ZD1)和所述第二齐纳二极管(ZD2)用于钳位薄栅氧化层高压管的栅极与源极之间的电压差以避免薄栅氧化层高压管被击穿。