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一种硅片分合片装置及硅片扩散插取片方法

申请号: CN202410121591.1
申请人: 无锡松煜科技有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种硅片分合片装置及硅片扩散插取片方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410121591.1
申请日 2024/1/30
公告号 CN117672948A
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 H01L21/683
权利人 无锡松煜科技有限公司
发明人 梁齐辉; 陈庆敏; 李丙科
地址 江苏省无锡市新吴区环普路9号11号厂房

摘要文本

本发明提供一种硅片分合片装置及硅片扩散插取片方法,包括安装基座,安装基座上设有导轨和离子风刀组件,所述导轨两端设有第一吸附模组和第二吸附模组,所述第一吸附模组和第二吸附模组中至少有一个还设有偏移机构;所述偏移机构用于驱动所述第一吸附模组和第二吸附模组中的至少一个所吸附的硅片发生偏移;所述离子风刀组件形成有出风通道,所述出风通道设有离子发生装置;所述安装基座上还设有用于驱动第一吸附模组和第二吸附模组做相对开合运动的驱动装置。本发明设计巧妙,硅片夹取稳定性高,分片及合片效率高,可实现硅片的无损转运。

专利主权项内容

1.一种硅片分合片装置,其特征在于,包括安装基座(1),设于安装基座上的导轨(2)和离子风刀组件(3),所述导轨两端分别滑动设有用于吸附硅片(4)的第一吸附模组(5)和第二吸附模组(6),所述离子风刀组件设于第一吸附模组和第二吸附模组之间;所述第一吸附模组和第二吸附模组中至少有一个还设有偏移机构(7);当第一吸附模组和第二吸附模组吸附硅片时,相邻两个硅片之间存在至少能够容纳单个硅片的容纳空间;所述偏移机构用于驱动所述第一吸附模组和第二吸附模组中的至少一个发生偏移;所述离子风刀组件形成有出风通道,所述出风通道设有离子发生装置;所述出风通道包括若干个出风口单元,所述出风口单元沿第一吸附模组和第二吸附模组的长度方向间隔均匀设置;所述安装基座上还设有用于驱动第一吸附模组和第二吸附模组沿所述导轨做相对开合运动的驱动装置(8);所述第一吸附模组设有若干个第一吸盘(52),所述第二吸附模组设有若干个第二吸盘(62),所述第一吸盘和第二吸盘的吸附面相对设置,所述第一吸盘和第二吸盘设有结构互补的吸附臂组件,所述第一吸盘和第二吸盘均设有覆盖吸附面的真空吸附环道模块,所述真空吸附环道模块外接有真空发生装置。