一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法
申请人信息
- 申请人:苏州优晶半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房
- 发明人: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410205388.2 |
| 申请日 | 2024/2/26 |
| 公告号 | CN117779180A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | C30B23/00 |
| 权利人 | 苏州优晶半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 蔡金荣; 陈建明; 赵文超; 杨洪雨; 范子龙 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房 |
摘要文本
本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其包括周向设置的坩埚壁，坩埚壁围绕形成的空腔包括自上而下设置的生长仓和储料仓；加热部，其沿生长仓的外侧的周向设置；坩埚套筒，其包括坩埚套筒壁和坩埚套筒底，坩埚套筒壁套设于坩埚壁的外部，坩埚套筒壁相对坩埚壁升降运动；柱塞，其设置于坩埚套筒底的上部并与坩埚套筒底固定连接，其顶部套设在储料仓的坩埚壁的内部，其与储料仓的坩埚壁内壁滑动配合；坩埚盖，其盖于坩埚套筒的上方，其与坩埚套筒壁固定连接，其下部用于安装籽晶；升降机构，其设置于坩埚盖的上部，生长装置的使用能向生长仓中补充原料，生长出大尺寸的碳化硅单晶。
专利主权项内容
1.一种碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括：坩埚部(1)，其包括周向设置的坩埚壁，所述坩埚壁围绕形成的空腔包括生长仓(101)和储料仓(102)，所述储料仓(102)位于所述生长仓(101)的下方，所述储料仓(102)的上部与所述生长仓(101)的下部相连通；加热部(2)，其设置在所述生长仓(101)的外侧，其沿所述生长仓(101)的周向设置；坩埚套筒(3)，其包括坩埚套筒壁(301)和坩埚套筒底(302)，所述坩埚套筒壁(301)套设于所述坩埚壁的外部，所述坩埚套筒壁(301)相对所述坩埚壁升降运动；柱塞(4)，其设置于所述坩埚套筒底(302)的上部并与所述坩埚套筒底(302)固定连接，其顶部套设在所述储料仓(102)的坩埚壁的内部，其与所述储料仓(102)的坩埚壁内壁滑动配合；坩埚盖(5)，其盖于所述坩埚套筒(3)的上方，其与所述坩埚套筒壁(301)固定连接，其下部用于安装籽晶；升降机构(6)，其设置于所述坩埚盖(5)的上部，其能驱动所述坩埚盖(5)带动所述坩埚套筒(3)以及所述柱塞(4)作相对于所述储料仓(102)的所述坩埚壁的升降运动。