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垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法
申请人信息
- 申请人:苏州华太电子技术股份有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层
- 发明人: 苏州华太电子技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410097602.7 |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117613098A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 发明人 | 张晓宇; 岳丹诚; 王畅畅 |
| 地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层 |
摘要文本
本申请实施例提供了一种垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括第一掺杂类型的衬底和外延层、多个重复单元，其中，外延层位于衬底之上，衬底作为漏区；重复单元包括：两个第一掺杂类型的源区，形成于外延层内且在横向间隔设置；沟槽，自外延层的上表面向下形成且沟槽位于两个第一掺杂类型的源区之间；第二掺杂类型的栅，形成在所述沟槽的内壁和底部；其中，栅处于浮空状态；介质层，至少形成在所述栅的内底之上；耦合电容上电极，形成在所述介质层之上；栅由耦合电容上电极间隔介质层间接控制。本申请实施例解决了传统的JFET器件的栅极无法加较高的电压和栅极可靠性低限制了其作为功率开关的应用的技术问题。
专利主权项内容
1.一种垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括第一掺杂类型的衬底(1)和外延层(2)、多个重复单元，其中，所述外延层位于所述衬底之上，所述衬底作为漏区；所述重复单元包括：两个第一掺杂类型的源区(4)，形成于所述外延层内且在横向间隔设置；沟槽，自所述外延层的上表面向下形成且沟槽位于两个第一掺杂类型的源区(4)之间；第二掺杂类型的栅(6)，形成在所述沟槽的内壁和底部；其中，栅(6)处于浮空状态；介质层(7)，至少形成在所述栅(6)的内底之上；耦合电容上电极(8)，形成在所述介质层(7)之上；栅(6)由耦合电容上电极(8)间隔介质层(7)间接控制。