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一种IGBT器件
申请人信息
- 申请人:苏州华太电子技术股份有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层
- 发明人: 苏州华太电子技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种IGBT器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410057218.4 |
| 申请日 | 2024/1/16 |
| 公告号 | CN117577676A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 发明人 | 祁金伟; 兰金龙 |
| 地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层 |
摘要文本
本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括：第一掺杂类型的漂移区；形成在所述漂移区内沿横向方向间隔设置的多个第二掺杂类型的柱区；第一掺杂类型的过渡层，连接在所述柱区之下；其中，所述过渡层的厚度大于2微米小于等于11微米，所述过渡层的掺杂浓度的取值范围为大于等于2.4×1014/cm3小于等于2.4×1016/cm3。本申请实施例解决了传统的SJ?IGBT器件在关断阶段的拖尾电流导致关断能量损耗较大的技术问题。
专利主权项内容
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的漂移区(7)；形成在所述漂移区(7)内沿横向方向间隔设置的多个第二掺杂类型的柱区(6)；第一掺杂类型的过渡层，连接在所述柱区(6)之下；其中，所述过渡层的厚度大于2微米小于等于11微米，所述过渡层的掺杂浓度的取值范围为大于等于2.4×10/cm小于等于2.4×10/cm。143163