← 返回列表
一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法
申请人信息
- 申请人:苏州长光华芯光电技术股份有限公司; 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- 申请人地址:215163 江苏省苏州市高新区漓江路56号
- 发明人: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司; 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410116414.4 |
| 申请日 | 2024/1/29 |
| 公告号 | CN117650422A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01S5/00 |
| 权利人 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司; 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 发明人 | 王俊; 章宇航; 程洋; 赵武; 孙方圆; 魏志祥; 孙正明; 韩迪仪 |
| 地址 | 江苏省苏州市高新区漓江路56号; 江苏省苏州市科技城昆仑山路189号2幢(长光华芯) |
摘要文本
本发明提供一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法，半导体发光测试结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧的发光体；发光体包括：自下至上依次排布的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；发光体具有前腔面和后腔面，所述前腔面为平面，后腔面与前腔面在慢轴方向两侧的侧边连接，后腔面背离前腔面凸出；后腔面与下限制层的交线呈圆弧或者椭圆弧；或者，后腔面包括依次连接的第一平面腔壁至第N平面腔壁，N为大于或等于2的整数，第一平面腔壁与前腔面在慢轴方向一侧的侧边连接，第N平面腔壁与前腔面在慢轴方向另一侧的侧边连接。提高了测试电致发光光谱的准确度。。马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种半导体发光测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧的发光体；所述发光体包括：自下至上依次排布的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述发光体具有前腔面和后腔面，所述发光体的所述前腔面为平面，所述发光体的所述后腔面与所述发光体的所述前腔面在慢轴方向两侧的侧边连接，所述发光体的所述后腔面背离所述发光体的所述前腔面凸出；所述发光体的所述后腔面与所述下限制层的交线呈圆弧或者椭圆弧；或者，所述发光体的所述后腔面包括依次连接的第一平面腔壁至第N平面腔壁，N为大于或等于2的整数，第一平面腔壁与所述发光体的所述前腔面在慢轴方向一侧的侧边连接，第N平面腔壁与所述发光体的所述前腔面在慢轴方向另一侧的侧边连接。。 （）