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垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法
申请人信息
- 申请人:苏州华太电子技术股份有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层
- 发明人: 苏州华太电子技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410097603.1 |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117637854A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 发明人 | 张晓宇; 王畅畅; 岳丹诚 |
| 地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层 |
摘要文本
本申请实施例提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：第一掺杂类型的基底；两个第二掺杂类型的底栅，形成于所述基底内且在横向间隔设置；第二掺杂类型的顶栅，形成于所述基底内，所述顶栅位于两个所述底栅之间间隔的上方且所述顶栅和所述底栅之间具有间隔；介质层，形成于所述基底之上且位于所述顶栅之上的位置；耦合电容上电极，形成在所述介质层之上；顶栅由耦合电容上电极间隔介质层间接控制。本申请实施例解决了传统碳化硅基结型场效应晶体管的栅极无法加较高的电压和栅极可靠性低限制了其作为功率开关的应用的技术问题。
专利主权项内容
1.一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括：第一掺杂类型的基底；两个第二掺杂类型的底栅(3)，形成于所述基底内且在横向间隔设置；第二掺杂类型的顶栅(8)，形成于所述基底内，所述顶栅(8)位于两个所述底栅之间间隔的上方且所述顶栅(8)和所述底栅(3)之间具有间隔；介质层(9)，形成于所述基底之上且位于所述顶栅(8)之上的位置；耦合电容上电极(10)，形成在所述介质层(9)之上；顶栅(8)由耦合电容上电极(10)间隔介质层(9)间接控制。