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一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法
申请人信息
- 申请人:南昌凯迅光电股份有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号
- 发明人: 南昌凯迅光电股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410015099.6 |
| 申请日 | 2024/1/5 |
| 公告号 | CN117525233A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 南昌凯迅光电股份有限公司 |
| 发明人 | 陈宝; 孙岩; 谢粤平; 戴文; 李俊承; 王克来; 熊露; 熊珊 |
| 地址 | 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号 |
摘要文本
本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，凹陷部中设置有用于将凹陷部填满的凸起部，且凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，凸起部包括绝缘填充层。本申请提供的LED芯片结构能够解决现有技术存在的出光亮度低、焊线挖电极、可靠性差中的至少一个技术问题。 数据由马 克 团 队整理
专利主权项内容
1.一种小尺寸红光LED芯片，其特征在于，所述芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；所述透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；所述P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，所述凹陷部与所述正面电极形状相一致，且位于所述正面电极的正下方；所述凹陷部中设置有用于将所述凹陷部填满的凸起部，所述凸起部与所述凹陷部的形状相适配，且所述凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出所述P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，所述凸起部包括绝缘填充层。