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一种VCSEL芯片及其制造方法
申请人信息
- 申请人:南昌凯捷半导体科技有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
- 发明人: 南昌凯捷半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种VCSEL芯片及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410132632.7 |
| 申请日 | 2024/1/31 |
| 公告号 | CN117691464A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01S5/183 |
| 权利人 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 陈宝; 孙岩; 戴文; 谢粤平; 李俊承; 王克来 |
| 地址 | 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室 |
摘要文本
本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体涉及一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P?DBR、P?限制层、多量子阱有源层、N?限制层、氧化层、氧化孔、N?DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；N焊线电极与反N接触电极相连，并与电源负极相连；P焊线电极与反P焊线电极分别与电源正极相连。本发明通过从芯片材料的结构进行优化，整体提升芯片器件的可靠性，同时还可节约后加工的成本及流程。
专利主权项内容
1.一种VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P-DBR、P-限制层、多量子阱有源层、N-限制层、氧化层、氧化孔、N-DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；所述电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；所述N焊线电极与所述反N接触电极相连，并与电源负极相连；所述P焊线电极与所述反P焊线电极分别与电源正极相连。