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一种高光效的发光二极管外延片及其制备方法
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高光效的发光二极管外延片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410225323.4 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810325A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L33/06 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明涉及发光二极管技术领域，公开了一种高光效的发光二极管外延片及其制备方法。所述外延片包括衬底、于衬底上依次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、第一N型GaN层、有源层、三维电子阻挡层和空穴注入层，所述有源层具有V型坑结构，其中，所述三维电子阻挡层为P型AlInGaN层，所述空穴注入层包括P型GaN层、InGaN插入层和第二N型GaN层。实施本发明，能够减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，同时降低接触电阻，进而提升发光二极管的发光效率。
专利主权项内容
1.一种高光效的发光二极管外延片，其特征在于：包括衬底、于衬底上依次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、第一N型GaN层、有源层、三维电子阻挡层和空穴注入层，所述有源层具有V型坑结构，其中，所述有源层为交替堆叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层，所述三维电子阻挡层为P型AlInGaN层，所述空穴注入层包括P型GaN层、InGaN插入层和第二N型GaN层；所述三维电子阻挡层中Al组分逐渐降低，In组分逐渐升高；所述P型AlInGaN层的掺杂浓度低于所述P型GaN层的掺杂浓度。