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LED及其制备方法
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | LED及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410145947.5 |
| 申请日 | 2024/2/2 |
| 公告号 | CN117712261A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L33/42 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘春杨; 胡加辉; 金从龙; 顾伟 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种LED及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。LED包括衬底，依次层叠于衬底上的外延层、透明导电层和电极层；其中，所述透明导电层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Sc2O3层和Sc、Sn共掺In2O3层。实施本发明，可提升LED的发光效率。
专利主权项内容
1.一种LED，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的外延层、透明导电层和电极层；其中，所述透明导电层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的ScO层和Sc、Sn共掺InO层。2323