一种Micro-LED外延结构及其制备方法

专利主权项内容

1.一种Micro-LED外延结构，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层，其中，所述多量子阱层包括由下至上依次层叠生长的第一量子阱层、第二量子阱层、电子束缚层和第三量子阱层；所述第一量子阱层为InGaN层与Si重掺GaN层形成的周期性结构，周期数为2~5；x1-x所述第二量子阱层为InGaN层与Si掺GaN层形成的周期性结构，周期数为3~8；<1-y所述电子束缚层包括依次生长的第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层；所述第三量子阱层为Mg掺InGaN层与第三GaN层形成的周期性结构，周期数为1~2；<1-z其中，x≤y，z≤y，x与z相等或者不相等；每个周期中所述InGaN层位于所述Si重掺GaN层的下方，所述InGaN层的厚度为2.5nm~4nm，0.1≤x≤0.15，所述Si重掺GaN层的厚度为7.5nm~12nm，Si的掺杂浓度为1.8×10/cm~1.2×10/cm<<1-x<1-x17<18<每个周期中所述InGaN层位于所述Si掺GaN层的下方，所述InGaN层的厚度为2.5nm~4nm，0.13≤y≤0.21，所述Si掺GaN层的厚度为7.5nm~12nm，Si的掺杂浓度为1.2×10/cm~8.6×10/cm<<1-y<1-y17<17<所述电子束缚层中由下至上依次为第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层，所述第一GaN层的厚度为2nm~6nm，所述AlGaN层的厚度为1nm~3nm，Al组分为0.2~0.6，所述第二GaN层的厚度为2nm~6nm；每个周期中所述Mg掺InGaN层位于所述第三GaN层的下方，所述Mg掺InGaN层的厚度为2.5nm~4nm，0.1≤z≤0.15，Mg元素的掺杂浓度为1.6×10/cm~3×10/cm，所述第三GaN层的厚度为9nm~16nm。<1-z<1-z18<19< 更多数据：搜索