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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410153546.4 |
| 申请日 | 2024/2/4 |
| 公告号 | CN117691017A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括硅衬底，依次层叠于所述硅衬底上的缓冲层、本征AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型AlGaN层；所述缓冲层包括依次层叠于所述硅衬底上的第一AlN层、阻断反射层和过渡层；所述阻断反射层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的第二AlN层、AlxGa1?xN层和ByGa1?yN层，x的取值范围为0.6~0.9，y的取值范围为0.1~0.5；所述过渡层为AlzB1?zP层；其中，z的取值范围为0~0.3。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，包括硅衬底，依次层叠于所述硅衬底上的缓冲层、本征AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型AlGaN层；其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠于所述硅衬底上的第一AlN层、阻断反射层和过渡层；所述阻断反射层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的第二AlN层、AlGaN层和BGaN层，x的取值范围为0.6~0.9，y的取值范围为0.1~0.5；x1-xy1-y所述过渡层为AlBP层；其中，z的取值范围为0~0.3。z1-z 来自