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一种发光二极管外延片及制备方法
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种发光二极管外延片及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410171544.8 |
| 申请日 | 2024/2/7 |
| 公告号 | CN117727849A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明提供了一种发光二极管外延片及制备方法，发光二极管外延片包括衬底，以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，有源层包括M个周期结构，周期结构包括交替沉积在n型GaN层上的量子阱层和量子垒层，量子阱层包括依次沉积的第一子层BmGa1?mN层、第二子层BxInyGa1?x?yN层、第三子层Mg掺In渐变InzGa1?zN层、第四子层AljInkGa1?j?kN盖帽层，M个周期结构中第二子层BxInyGa1?x?yN层中In组分的含量沿外延层的生长方向逐渐增大。本发明提供的发光二极管外延片，降低了量子阱层的极化效应，提高了量子阱层的晶体质量和载流子在量子阱辐射复合效率，进而提高发光效率。
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述有源层包括M个周期结构，所述周期结构包括交替沉积在所述n型GaN层上的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括依次沉积的第一子层BGaN层、第二子层BInGaN层、第三子层Mg掺In渐变InGaN层、第四子层AlInGaN盖帽层，M个所述周期结构中第二子层BInGaN层中In组分的含量沿外延层的生长方向逐渐增大。m1-mxy1-x-yz1-zjk1-j-kxy1-x-y （） （来 自 ）