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一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法
申请人信息
- 申请人:江西省科学院能源研究所
- 申请人地址:330000 江西省南昌市高新技术开发区昌东大道7777号
- 发明人: 江西省科学院能源研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410126868.X |
| 申请日 | 2024/1/30 |
| 公告号 | CN117645622A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | C07F5/00 |
| 权利人 | 江西省科学院能源研究所 |
| 发明人 | 韩飞; 王玲玲; 邹俊华; 范敏; 陈伟; 胡银 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术开发区昌东大道7777号 |
摘要文本
本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法，本发明在室温下将一定量的Ce(TFSI)3和tBP混合溶于乙腈然后蒸干溶剂以制备Ce(tBP)m(TFSI)3铈基配合物空穴掺杂剂，将Ce(tBP)m(TFSI)3铈基配合物空穴掺杂剂与Spiro?OMeTAD共混溶于氯苯得到Ce(TFSI)3间接掺杂的Spiro?OMeTAD/氯苯溶液，旋涂制作n?i?p结构钙钛矿太阳能电池的空穴传输层。本发明可解决钙钛矿太阳能电池空穴传输层中Ce(TFSI)3吸湿、Ce3+向钙钛矿层迁移扩散、tBP挥发等负面问题，极大提高钙钛矿太阳能电池寿命。
专利主权项内容
1.一种铈基配合物空穴掺杂剂制备方法，其特征在于，在室温下将Ce(TFSI)和tBP混合溶于乙腈然后蒸干溶剂以制备Ce(tBP)(TFSI)铈基配合物空穴掺杂剂，所述tBP与Ce(TFSI)的摩尔比为5 : 1。3m33