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外延炉清洗方法和N型SiC的制备方法
申请人信息
- 申请人:浙江求是半导体设备有限公司
- 申请人地址:311100 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室
- 发明人: 浙江求是半导体设备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 外延炉清洗方法和N型SiC的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410231904.9 |
| 申请日 | 2024/3/1 |
| 公告号 | CN117802582A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | C30B29/36 |
| 权利人 | 浙江求是半导体设备有限公司 |
| 发明人 | 曹建伟; 傅林坚; 刘毅; 周文龙; 朱亮 |
| 地址 | 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室 |
摘要文本
本发明涉及一种外延炉清洗方法和N型SiC的制备方法，该外延炉的清洗方法包括以下步骤：向外延炉的反应腔室内通入ClF3和惰性气体的混合气体第一预设时长，然后用惰性气体对反应腔室进行气体置换；升高反应腔室的温度，向反应腔室内通入载有NH3或O2的气体第二预设时长，然后用惰性气体对反应腔室进行气体置换并降温；循环上述步骤直至反应腔室内壁的SiC和/或氮化物被去除，用惰性气体对反应腔室进行气体置换。该外延炉清洗方法能够完全去除反应腔室内沉积的碳化硅和氮化物，避免在N型SiC的生长过程中出现背景记忆效应，使不同批次间N型SiC掺杂浓度均匀。
专利主权项内容
1.一种外延炉的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：向外延炉的反应腔室内通入ClF和惰性气体的混合气体第一预设时长，然后用惰性气体对所述反应腔室进行气体置换；3向所述反应腔室内通入载有NH或O的气体第二预设时长，然后用惰性气体对所述反应腔室进行气体置换并降温；32循环上述步骤直至所述反应腔室内壁的SiC和/或氮化物被去除，用惰性气体对所述反应腔室进行气体置换。