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片上集成磁光隔离器

申请号: CN202410031738.8
申请人: 之江实验室
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 片上集成磁光隔离器
专利类型 发明申请
申请号 CN202410031738.8
申请日 2024/1/9
公告号 CN117555168A
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 G02F1/09
权利人 之江实验室
发明人 张燕; 杜清扬; 虞绍良
地址 浙江省杭州市余杭区中泰街道科创大道之江实验室

摘要文本

本申请涉及片上集成磁光隔离器,其中,片上集成磁光隔离器包括:入射波导阵列,用于输入至少一个波长的光;与所述入射波导阵列连接的磁光隔离器,用于实现光的正向传输反向隔离;所述磁光隔离器包括阵列波导光栅、磁光薄膜以及磁场施加装置;其中,所述磁光薄膜在所述阵列波导光栅表面,所述至少一个波长的光在所述阵列波导光栅中传播,所述磁场施加装置用于施加与所述阵列波导光栅的光传输方向垂直的磁场;与所述磁光隔离器连接的出射波导阵列,用于输出所述至少一个波长的光,具有对光波的正向传输,反向隔离的功能,能够满足波长范围高达百纳米的链路应用,提高光的隔离效果,从而实现对激光器的保护作用。。

专利主权项内容

1.一种片上集成磁光隔离器,其特征在于,包括:入射波导阵列,用于输入至少一个波长的光;与所述入射波导阵列连接的磁光隔离器,用于实现光的正向传输反向隔离;所述磁光隔离器包括阵列波导光栅、磁光薄膜以及磁场施加装置;其中,所述磁光薄膜在所述阵列波导光栅表面,所述至少一个波长的光在所述阵列波导光栅中传播,所述磁场施加装置用于施加与所述阵列波导光栅的光传输方向垂直的磁场;与所述磁光隔离器连接的出射波导阵列,用于输出所述至少一个波长的光。 关注微信公众号