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低压总线信号锁存器
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第四十七研究所
- 申请人地址:110032 辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第四十七研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 低压总线信号锁存器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711362364.4 |
| 申请日 | 2017年12月18日 |
| 公告号 | CN107888165B |
| 公开日 | 2024年2月23日 |
| IPC主分类号 | H03K3/0233 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 发明人 | 林雨佳 |
| 地址 | 辽宁省沈阳市沈北新区孝信街10号 |
摘要文本
本发明涉及低压总线信号锁存器，低压总线信号锁存器由两个低阈值反相器构成，通过第二反相器产生一个较小的正向反馈电流回流到第一反相器的输入端，这样可以有效的增加电平过渡时期的输入电流，使电路快速进入到输入电平的正常状态，并通过反馈将这一输入电平进行锁存，即将最后的电平信号锁在一个稳定的状态，直到下一个总线信号的来到。当电路具有锁存功能，即使总线在无效状态时，总线节点的输入端也一直会维持在上一输入信号的状态。第一第二反相器采用低阈值电压的CMOS管构成，并且第二反相器中使用的肖特基势垒二极管实现了总线信号锁存电路在低压条件下的正常工作。
专利主权项内容
1.低压总线信号锁存器电路，其特征在于，包括晶体管P1、晶体管N1、晶体管P2、晶体管N2和二极管D1；所述晶体管P1的栅极与N1的栅极连接，并作为锁存器电路的数据输入端，P1的漏极与N1的漏极连接，并作为锁存器电路的数据输出端；P1的源极与电源连接，N1的源极接地；所述晶体管P2的栅极、N2的栅极与数据输出端连接，P2的源极与电源连接，N2的源极接地，P2的漏极通过二极管D1与N2的漏极、数据输入端连接；所述二极管为肖特基二极管；所述晶体管P1与N1构成第一反相器，所述晶体管P2与N2构成第二反相器；所述晶体管P1、晶体管N1、晶体管P2、晶体管N2为低阈值器件，低阈值器件的阈值电压为0.2V～0.4V。。马 克 数 据 网