过温保护电路及应用其的电子设备

专利主权项内容

1.一种过温保护装置，其特征在于，包括感应电路、比较电路、驱动电路以及控制电路，所述感应电路用于感应被保护对象的温度，比较电路用于判断感应到的所述温度是否大于设定的温度阈值，所述控制电路用于当感应到的所述温度大于设定的温度阈值时减小施加到所述被保护对象上的电信号，所述驱动电路用于驱动所述被保护对象进行工作，所述驱动电路为恒流源驱动电路；所述驱动电路包括PMOS管PM6、PMOS管PM7、NMOS管NM5和NMOS管NM6，所述NMOS管NM6的漏极与所述被保护对象的一端相连接，所述NMOS管NM6的源极接地，所述NMOS管NM6的栅极分别与所述NMOS管NM5的栅极和所述NMOS管NM5漏极相连接，所述NMOS管NM5的源极接地，所述NMOS管NM5的漏极分别与所述PMOS管PM7的漏极和所述控制电路相连接，所述PMOS管PM7的源极分别与所述被保护对象的另一端和所述PMOS管PM6的源极相连接，所述PMOS管PM7的栅极分别与所述PMOS管PM6的栅极和所述PMOS管PM6的漏极相连接，所述PMOS管PM6的漏极与电流源相连接；所述控制电路为电流镜电路，电流镜电路包括PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM3以及NMOS管NM4，所述比较电路为四个第一开关器件，其中两个第一开关器件为PMOS管PM1和PMOS管PM2，另外两个第一开关器件为NMOS管NM1和NMOS管NM2；PMOS管PM3、PMOS管PM4以及PMOS管PM5的源极均与输入电源VIN连接，PMOS管PM3、PMOS管PM4以及PMOS管PM5的栅极均相连，所述PMOS管PM3的栅极与漏极连接，PMOS管PM3的漏极与参考电流IREF连接，PMOS管PM4、PMOS管PM5的漏极均连接PMOS管PM1和PMOS管PM2的源极，PMOS管PM1的栅极与PMOS管PM4和感应电路的连接点连接，PMOS管PM2的栅极输入温度阈值对应的电压阈值VREF，PMOS管PM1的漏极连接NMOS管NM1的漏极，NMOS管NM1的漏极与NMOS管NM1的栅极连接，PMOS管PM2的漏极分别连接NMOS管NM2的漏极以及NMOS管NM3的漏极，NMOS管NM3的漏极与NMOS管NM3的栅极连接，NMOS管NM1的栅极与NMOS管NM2的栅极连接，NMOS管NM1以及NMOS管NM2的源极均接地，NMOS管NM3的栅极与NMOS管NM4的栅极连接，NMOS管NM3以及NMOS管NM4的源极均接地。