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专利摘要

本发明公开了一种半导体外壳焊接方法及半导体外壳定位装架方法,其中,半导体外壳焊接方法包括以下步骤:步骤一:在陶瓷体上方装配封口环,使封口环与陶瓷体的金属化区面贴合;步骤二:准备侧置式焊料环;步骤三:将侧置式焊料环套装于封口环外部,侧置式焊料环与封口环贴近,同时,侧置式焊料环放置在陶瓷体上方;步骤四:在保护气氛环境下,利用扩散炉进行焊接,使侧置式焊料环熔化并填充在陶瓷体与封口环之间的狭缝中,进行焊接;本发明使封口环与陶瓷体的金属化区直接面贴合,使得两者之间的狭缝较小,因此,侧置式焊料环熔化后形成液态焊料填补狭缝的量较小,封口环被向上抬起的位移量非常少,使得封口环的平行度精度等级较高。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811533003.6
申请日
2018-12-14
公开日
2021-07-06
公开号
CN109590562B
主分类号
/B/B23/ 作业;运输
标准类别
机床;其他类目中不包括的金属加工
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

阚云辉 郭玉廷

申请人

合肥中航天成电子科技有限公司 苏州中航天成电子科技有限公司

申请人地址

230088 安徽省合肥市高新区创新产业园二期J1楼C座403室

专利摘要

本发明公开了一种半导体外壳焊接方法及半导体外壳定位装架方法,其中,半导体外壳焊接方法包括以下步骤:步骤一:在陶瓷体上方装配封口环,使封口环与陶瓷体的金属化区面贴合;步骤二:准备侧置式焊料环;步骤三:将侧置式焊料环套装于封口环外部,侧置式焊料环与封口环贴近,同时,侧置式焊料环放置在陶瓷体上方;步骤四:在保护气氛环境下,利用扩散炉进行焊接,使侧置式焊料环熔化并填充在陶瓷体与封口环之间的狭缝中,进行焊接;本发明使封口环与陶瓷体的金属化区直接面贴合,使得两者之间的狭缝较小,因此,侧置式焊料环熔化后形成液态焊料填补狭缝的量较小,封口环被向上抬起的位移量非常少,使得封口环的平行度精度等级较高。

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