背照式结构的4H-SiC紫外光电探测器阵列及制备 下载此专利PDF版本

CN202011005272.2 结构

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专利摘要

背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 审查中-实审

基础信息

专利号
CN202011005272.2
申请日
2020-09-22
公开日
2020-12-22
公开号
CN112117336A
主分类号
/B/B81/ 作业；运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

付钊 张峰 洪荣墩 蔡加法 陈厦平 林鼎渠 吴少雄 吴正云

申请人

厦门大学

申请人地址

361005 福建省厦门市思明区思明南路422号

专利摘要

背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N

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