本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。
在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。
可以描述和/或要求保护其它实施例。

K·J·李 R·萨拉斯沃特 U·齐尔曼 V·B·拉奥 T·伦-拉森 N·P·考利

英特尔公司

美国加利福尼亚

本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。
在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。
可以描述和/或要求保护其它实施例。