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专利摘要

本发明提供了一种管式沉积系统,包括载片单元、前置处理腔室、X个反应模块、预加热单元、加热单元和转运单元。
所述前置处理腔室与X个所述反应模块之间,以及X个所述反应模块之间均沿垂直方向设置,每个所述反应模块内沿水平方向设置有至少一个管式反应腔体,显著提高了空间利用率,有利于实现产能最大化。
所述预加热单元和所述转运单元使得所述载片单元能够在所述前置处理腔室内达到预热温度后,再通过所述转运单元转移至所述管式反应腔体内,避免了所述管式反应腔体中存在的沉积层对加热效果产生的不利影响,有利于工艺处理的稳定性和可重复性。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910798935.1
申请日
2019-08-28
公开日
2019-11-05
公开号
CN110408914A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

戴虹 王祥 袁刚 胡兵 奚明

申请人

理想晶延半导体设备(上海)有限公司

申请人地址

201620 上海市松江区思贤路3255号3号楼B栋四楼

专利摘要

本发明提供了一种管式沉积系统,包括载片单元、前置处理腔室、X个反应模块、预加热单元、加热单元和转运单元。
所述前置处理腔室与X个所述反应模块之间,以及X个所述反应模块之间均沿垂直方向设置,每个所述反应模块内沿水平方向设置有至少一个管式反应腔体,显著提高了空间利用率,有利于实现产能最大化。
所述预加热单元和所述转运单元使得所述载片单元能够在所述前置处理腔室内达到预热温度后,再通过所述转运单元转移至所述管式反应腔体内,避免了所述管式反应腔体中存在的沉积层对加热效果产生的不利影响,有利于工艺处理的稳定性和可重复性。

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